產品展示 PRODUCT
半導體材料根據時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質材料，其特點為開關便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導體，主要用于發光及通訊材料。第三代半導體主要包括碳化硅、氮化鎵...
碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應用場景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規格?12。碳化硅在不...
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
非接觸式無損測厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對激勵光源進行強度調制，在材料中產生熱波，光源激發的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...
在半導體制造領域，晶圓的厚度測量是至關重要的一環，它直接關系到產品的質量和性能。為了滿足高精度測量的需求，我們研發了一款對射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測量設備，專門用于晶圓厚度的精確測量
金剛石膜檢測與測試報告 檢測項目 金剛石膜的檢測項目主要包括以下幾個方面：膜厚度、晶體結構、表面粗糙度、附著力、熱穩定性及耐磨性等。
硅片厚度測試的方法主要包括非接觸式光學測量技術，如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中，反射率法是通過測量不同角度下光線的反射率變化來計算硅片厚度，而干涉法則是利用光的干涉現象來測量厚...
關于我們 ABOUT
2021年
公司成立1000萬
注冊資金28個
專利技術365天
用心服務每一天
技術文章 ARTICLES
2025-06-26霍爾遷移率測試儀的使用過程涉及到的步驟霍爾遷移率測試儀的使用過程通常包括以下關鍵步驟：準備工作：檢查儀器：確?；魻栠w移率測試儀及其附件完好無損，檢查電源線、連接線等是否齊全。預熱儀器：根據儀器要求，可能需要預熱一段時間，以確保儀器內部處于穩定狀態。記錄參數：查看并記錄霍爾元件的規格參數，如尺寸、導電類型及材料等，這些參數在后續計算中會用到。連接線路：正確接線：按照儀器說明書或實驗要求，將霍爾元件與測試儀正確連接。通常，霍爾元件的工作電流端和霍爾電壓輸出端需要分別連接到測試儀的...
2025-06-26霍爾遷移率測試儀是一種用于測量半導體材料中載流子遷移率的重要儀器設備。在半導體和電子器件的研發、生產和質量控制中，遷移率作為衡量載流子（電子或空穴）在材料內部運動速度的關鍵參數，直接影響器件的性能表現。核心原理基于霍爾效應?；魻栃侵冈趯w或半導體材料中，載流子在磁場中的偏轉導致橫向電勢（霍爾電壓）的產生。當在樣品中施加垂直于電流的磁場時，載流子在洛倫茲力作用下偏向一側，形成霍爾電壓。這個電壓與載流子濃度、遷移率、施加電場等參數密切相關?；魻栠w移率測試儀的具體工作流程：1....
2025-05-28無損電阻率測試儀是一種用于測試物質電阻率的儀器，特別適用于不希望對樣品造成任何損害的檢測場合。這種測試儀廣泛應用于工程檢測、材料分析以及質量控制等領域。通過不同的物理原理和方法，可以實現對材料電阻率的精確測量，且不會對樣品本身產生任何物理或化學上的影響。無損電阻率測試儀的工作原理：1.接觸式測量原理通過在材料表面放置電極，施加一定的電流，并測量電壓降落。根據歐姆定律\(R=\frac\)（電阻R等于電壓V與電流I之比），可以計算出電阻值。而電阻率是電阻與樣品的幾何...
2025-04-30遷移率測試儀是用于測量材料中載流子（如電子、離子）遷移速率的專業設備，廣泛應用于半導體、新能源電池、納米材料等領域。其通過精確控制電場、溫度等條件，量化載流子在材料中的移動能力，為材料性能評估與研發提供關鍵數據。一、使用前準備（一）設備檢查使用前需全面檢查遷移率測試儀各部件狀態。查看主機外殼是否完好，確認顯示屏、操作按鈕、接口等無損壞；檢查電場發生裝置、溫度控制系統、數據采集模塊等核心組件連接是否穩固。特別要檢查測試腔密封性，確保無漏氣、漏液現象，避免外部環境干擾測試結果。同...
2025-04-12半絕緣碳化硅與導電性碳化硅在電特性和應用領域上差異顯著。半絕緣碳化硅，作為一種電阻率較高的材料，其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm，非常適用于高溫、高電壓環境，如電力電子設備和電動汽車部件。而導電性碳化硅，電阻率低，位于10^-3-10^-2Ω.cm之間，更適合低壓、高電流場景，如功率半導體和射頻電子器件。此外，由于成分和制備工藝的差異，導電性碳化硅的成本相對較高，而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此，在選擇材料時，需根據具體應用環境來決定：高溫...
2025-03-28無損方塊電阻測試儀是一種用于測量材料表面電阻的儀器，特別適用于評估半導體材料、電導體、絕緣體以及其他具有電導性能的材料。與傳統的電阻測試方法不同，通過非接觸方式進行測量，無需破壞或接觸被測試材料的表面，具有高精度、高效率和對測試對象的保護作用。廣泛應用于半導體、電子元器件、材料科學、表面處理等領域。在工業生產過程中，檢測電導性能可以有效地保證產品質量，確保制造過程中材料的電學性能符合標準要求。無損方塊電阻測試儀的主要特點：1.無接觸測試大的優勢之一就是其無接觸性。傳統的電阻測...
